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IGBT我們都知道是變頻器的核心組件之一，它屬于現(xiàn)今很多電氣設(shè)備不可代替的核心組件之一，具備能源變換和傳輸?shù)墓δ埽敲此邆淠男﹥?yōu)缺點(diǎn)呢。

IGBT優(yōu)點(diǎn)

IGBT綜合了電力MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)，具有驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，保護(hù)容易，不用緩沖電路，開(kāi)關(guān)頻率高等優(yōu)點(diǎn)。它應(yīng)用在變頻器中，使變頻器具有以下優(yōu)點(diǎn):輸出電流波形大為改善，電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)矩增大;電磁噪聲極小，獲得“靜音式”美稱;增強(qiáng)了對(duì)常見(jiàn)故障(過(guò)流、過(guò)壓瞬間斷電等)的自處理能力,故障率大為減小,變頻器自身的損耗也大為減少。

當(dāng)前，世界上各大公司已把IGBT發(fā)展到第三代、第四代，IGBT器件早已完成集成化、模塊化，模塊的簡(jiǎn)化電路與GTR模塊相似，其驅(qū)動(dòng)電路也已完成模塊化。其導(dǎo)通壓降可在1.5~開(kāi)2.0V范圍，關(guān)斷時(shí)間為0.2~0.3pus, 其額定電壓和電流等級(jí)也在不斷提高。在中小容量的變頻器中1GBT已經(jīng)取代了GTR，在多電平(如三電平)、高電壓的變頻器中也廣泛使用。

IGBT缺點(diǎn)

1.因?yàn)镮GBT工作時(shí)，其漏極區(qū)(P區(qū))將向漂移區(qū)(N區(qū))注入少數(shù)載流子一 空穴，則在漂移區(qū)中存儲(chǔ)有少數(shù)載流子電荷;當(dāng)IGBT關(guān)斷(柵極電壓降為0)時(shí)，這些存儲(chǔ)的電荷不能立即去掉，從而IGBT的漏極電流也就相應(yīng)地不能馬上關(guān)斷，即漏極電流波形有一個(gè)較長(zhǎng)時(shí)間的拖尾關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng)(10~50ms)。所以IGBT的工作頻率較低。為了縮短關(guān)斷時(shí)間，可以采用電子輻照等方法來(lái)降低少數(shù)載流子的壽命，但是這將會(huì)引起正向壓降增大等弊病。

2.IGBT 中存在有寄生晶閘管一MOS 柵控的N-PN -P*晶閘管結(jié)構(gòu)，這就使得器件的最大工作電流要受到此寄生晶閘管閉鎖效應(yīng)的限制(采用陰極短路技術(shù)可以適當(dāng)?shù)販p弱這種不良影響)。